Name: RS1E150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E150GNTBTR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

Canale N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP

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RS1E150GNTB
Codice DigiKey	RS1E150GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E150GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1E150GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Ta), 40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,8mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	590 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 22W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSOP
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	RS1E

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.76000	Fr. 0.76
10	Fr. 0.47300	Fr. 4.73
100	Fr. 0.30780	Fr. 30.78
500	Fr. 0.23668	Fr. 118.34
1’000	Fr. 0.21377	Fr. 213.77

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.18895	Fr. 472.38
5’000	Fr. 0.17360	Fr. 868.00
7’500	Fr. 0.16578	Fr. 1’243.35
12’500	Fr. 0.15699	Fr. 1’962.37
17’500	Fr. 0.15179	Fr. 2’656.33
25’000	Fr. 0.14900	Fr. 3’725.00