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RS1E200BNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1E200BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E200BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E200BNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RS1E200BNTB Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3100 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 25W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-HSOP |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFHM830TRPBFCT-ND | Fr. 0.00000 | Diretto |
| BSC042N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 22’286 | BSC042N03LSGATMA1CT-ND | Fr. 1.37000 | Simile |
| BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | 7’553 | BSC0906NSATMA1CT-ND | Fr. 0.81000 | Simile |
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | 3’479 | 296-39996-1-ND | Fr. 0.97000 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.25433 | Fr. 635.83 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.25433 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.27493 |
