Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 3.55649 CHF
Availability: InStock

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RS1E260ATTB1
Codice DigiKey	RS1E260ATTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E260ATTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1E260ATTB1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 26 A (Ta), 80 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS1E260ATTB1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 175 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7850 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Ta), 80 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 26A, 10V	Codice componente base RS1E

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 1.05777	Fr. 2’644.43
5’000	Fr. 1.03510	Fr. 5’175.50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.55649

RS1E260ATTB1