RS1E130GNTB
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RS1E321GNTB1

Codice DigiKey
RS1E321GNTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RS1E321GNTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RS1E321GNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1E321GNTB1
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
32A (Ta), 80A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,1mohm a 32A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2850 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1E
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In magazzino: 2’295
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.50000Fr. 2.50
10Fr. 1.62700Fr. 16.27
100Fr. 1.12750Fr. 112.75
500Fr. 0.95104Fr. 475.52
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.77700Fr. 1’942.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.50000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.70250