
RS1E350BNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1E350BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E350BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E350BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E350BNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RS1E350BNTB Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 185 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7900 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 35W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-HSOP |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 35A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E350BNTB1 | Rohm Semiconductor | 2’207 | 846-RS1E350BNTB1CT-ND | Fr. 2.66000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.06000 | Fr. 2.06 |
| 10 | Fr. 1.32400 | Fr. 13.24 |
| 100 | Fr. 0.90430 | Fr. 90.43 |
| 500 | Fr. 0.72506 | Fr. 362.53 |
| 1’000 | Fr. 0.66864 | Fr. 668.64 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.60507 | Fr. 1’512.67 |
| 5’000 | Fr. 0.56656 | Fr. 2’832.80 |
| 7’500 | Fr. 0.54694 | Fr. 4’102.05 |
| 12’500 | Fr. 0.54627 | Fr. 6’828.38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.06000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.22686 |

