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RS1E350GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1E350GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E350GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E350GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E350GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4060 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-HSOP |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7mohm a 35A, 10V | Codice componente base |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 1.03770 | Fr. 2’594.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.03770 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.12175 |
