Canale N 40 V 18 A (Ta), 80 A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
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RS1G180MNTB

Codice DigiKey
846-RS1G180MNTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-RS1G180MNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-RS1G180MNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RS1G180MNTB
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 18 A (Ta), 80 A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
18 A (Ta), 80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1293 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSOP
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
RS1G
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.68000Fr. 1.68
10Fr. 1.07400Fr. 10.74
100Fr. 0.72820Fr. 72.82
500Fr. 0.57998Fr. 289.99
1’000Fr. 0.53233Fr. 532.33
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.48078Fr. 1’201.95
5’000Fr. 0.45195Fr. 2’259.75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.81608