Name: RS1G300GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G300GNTBTR-ND
Price: 2.56197 CHF
Availability: InStock

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RS1G300GNTB
Codice DigiKey	RS1G300GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1G300GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1G300GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1G300GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 30 A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS1G300GNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4230 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 35W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 30A, 10V	Codice componente base RS1G

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC019N04LSATMA1	Infineon Technologies	19’203	448-BSC019N04LSATMA1CT-ND	Fr. 1.43000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.56197

RS1G300GNTB