Name: RS1L120GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1L120GNTBTR-ND
Price: 2.08633 CHF
Availability: InStock

Canale N 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP

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RS1L120GNTB
Codice DigiKey	RS1L120GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1L120GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1L120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS1L120GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,7V a 200µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1330 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12A (Ta), 36A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 12,7mohm a 12A, 10V	Codice componente base RS1L

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT6015LPS-13	Diodes Incorporated	7’488	DMT6015LPS-13DICT-ND	Fr. 1.11000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 1.93000	Fr. 1.93

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.67661	Fr. 1’691.53

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.08633

RS1L120GNTB

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