RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

RQ3P300BETB1 è obsoleto e non è più in produzione.

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STMicroelectronics

In magazzino: 3’390

Prezzo unitario : Fr. 1.15000

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RQ3P300BETB1
Codice DigiKey	RQ3P300BETB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3P300BETB1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Modelli EDA/CAD	RQ3P300BETB1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Ta), 36 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	21mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1250 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	RQ3P300