Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 2.98356 CHF
Availability: InStock

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RS3E180ATTB1
cms-digikey-product-number	RS3E180ATTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	RS3E180ATTB1
cms-description	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
cms-standard-lead-time	16 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale P 30 V 18 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	RS3E180ATTB1 Modelli

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,4mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7200 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOP
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	RS3E

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.76000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.98356

RS3E180ATTB1