Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 3.10247 CHF
Availability: InStock

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RS3E180ATTB1
Codice DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS3E180ATTB1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 18 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS3E180ATTB1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 5mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 160 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7200 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 5,4mohm a 18A, 10V	Codice componente base RS3E

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.90112	Fr. 2’252.80
5’000	Fr. 0.86274	Fr. 4’313.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.87000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.10247

RS3E180ATTB1