Name: RS6E120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6E120BGTB1TR-ND
Price: 3.08085 CHF
Availability: InStock

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RS6E120BGTB1
Codice DigiKey	846-RS6E120BGTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS6E120BGTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS6E120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS6E120BGTB1
Descrizione	30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 138W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5750 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 138W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1mohm a 90A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.89218	Fr. 2’230.45
5’000	Fr. 0.85301	Fr. 4’265.05

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.85000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.08085

RS6E120BGTB1