Name: RS6G120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G120BGTB1TR-ND
Price: 3.88079 CHF
Availability: InStock

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RS6G120BGTB1
Codice DigiKey	846-RS6G120BGTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS6G120BGTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS6G120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS6G120BGTB1
Descrizione	NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 120 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RS6G120BGTB1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 67 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4240 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,34mohm a 90A, 10V	Codice componente base RS6G

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 1.18291	Fr. 2’957.27

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.88079

RS6G120BGTB1