Name: RS6N120BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6N120BHTB1TR-ND
Price: 3.26462 CHF
Availability: InStock

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RS6N120BHTB1
Codice DigiKey	846-RS6N120BHTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS6N120BHTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS6N120BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS6N120BHTB1
Descrizione	NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 53 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3420 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9mohm a 60A, 6V	Codice componente base RS6N120

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.95717	Fr. 2’392.92
5’000	Fr. 0.92409	Fr. 4’620.45

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.26462

RS6N120BHTB1