Name: RS7E200BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7E200BGTB1TR-ND
Price: 4.58344 CHF
Availability: InStock

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RS7E200BGTB1
Codice DigiKey	846-RS7E200BGTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RS7E200BGTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RS7E200BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RS7E200BGTB1
Descrizione	NCH 30V 390A, DFN5060-8S, POWER
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 390A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 135 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9500 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 180W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 390A (Ta)	Contenitore del fornitore DFN5060-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 0,67mohm a 50A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 1.45868	Fr. 3’646.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.24000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.58344

RS7E200BGTB1