Canale P 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale EMT3
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RSE002P03TL

Codice DigiKey
RSE002P03TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RSE002P03TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RSE002P03TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RSE002P03TL
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale EMT3
Modelli EDA/CAD
RSE002P03TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,4ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
30 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
EMT3
Contenitore/involucro
SC-75, SOT-416
Codice componente base
RSE002
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.54000Fr. 0.54
10Fr. 0.33700Fr. 3.37
100Fr. 0.21640Fr. 21.64
500Fr. 0.16434Fr. 82.17
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.12618Fr. 378.54
6’000Fr. 0.11543Fr. 692.58
9’000Fr. 0.10994Fr. 989.46
15’000Fr. 0.10378Fr. 1’556.70
21’000Fr. 0.10013Fr. 2’102.73
30’000Fr. 0.09658Fr. 2’897.40
75’000Fr. 0.09432Fr. 7’074.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.54000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.58374
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