Name: RSJ550N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ550N10TLTR-ND
Price: 4.70235 CHF
Availability: OutOfStock

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RSJ550N10TL
Codice DigiKey	RSJ550N10TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RSJ550N10TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RSJ550N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSJ550N10TL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 55 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RSJ550N10TL Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 143 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6150 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55 A (Ta)	Contenitore del fornitore LPTS
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 16,8mohm a 27,5A, 10V	Codice componente base RSJ550

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTA60N10T	IXYS	0	IXTA60N10T-ND	Fr. 3.29000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.60310	Fr. 1’603.10
2’000	Fr. 1.51224	Fr. 3’024.48

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.70235

RSJ550N10TL