Name: RSQ015N06HZGTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSQ015N06HZGTR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: InStock

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RSQ015N06HZGTR
Codice DigiKey	846-RSQ015N06HZGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RSQ015N06HZGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RSQ015N06HZGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSQ015N06HZGTR
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 1,5 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	290mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	110 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	950mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	RSQ015

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Nastrato in bobina (TR)