RSR030N06TL Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

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RSR030N06TL
Codice DigiKey	RSR030N06TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RSR030N06TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RSR030N06TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSR030N06TL
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 3 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RSR030N06TL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	85mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	380 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	540mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSMT3
Contenitore/involucro	SC-96
Codice componente base	RSR030

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Nastrato in bobina (TR)