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RT1A050ZPTR è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
RT1A050ZPTR | |
|---|---|
Codice DigiKey | RT1A050ZPTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RT1A050ZPCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | RT1A050ZPTR |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 12 V 5 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale 8-TSST |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RT1A050ZPTR Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 26mohm a 5A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 34 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2800 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-TSST | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera