RTR025N05TL Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

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RTR025N05TL
Codice DigiKey	RTR025N05TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RTR025N05TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RTR025N05TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RTR025N05TL
Descrizione	MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 45 V 2,5 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RTR025N05TL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	45 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	130mohm a 2,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	250 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSMT3
Contenitore/involucro	SC-96
Codice componente base	RTR025

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Nastrato in bobina (TR)