Name: RU1C001ZPTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RU1C001ZPTLTR-ND
Price: 0.19458 CHF
Availability: InStock

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RU1C001ZPTL
Codice DigiKey	RU1C001ZPTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RU1C001ZPTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RU1C001ZPTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RU1C001ZPTL
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale UMT3F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RU1C001ZPTL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,8ohm a 100mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 100µA
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	UMT3F
Contenitore/involucro	SC-85
Codice componente base	RU1C001

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Nastrato in bobina (TR)