Name: RV2C010UNT2L
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RV2C010UNT2LTR-ND
Price: 0.36754 CHF
Availability: InStock

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RV2C010UNT2L
Codice DigiKey	RV2C010UNT2LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RV2C010UNT2LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RV2C010UNT2LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RV2C010UNT2L
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1 A (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale VML1006
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RV2C010UNT2L Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	470mohm a 500mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	40 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	VML1006
Contenitore/involucro	SC-101, SOT-883
Codice componente base	RV2C010

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Nastrato in bobina (TR)