Name: RV5A040APTCR1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV5A040APTCR1TR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: InStock

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RV5A040APTCR1
Codice DigiKey	846-RV5A040APTCR1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RV5A040APTCR1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RV5A040APTCR1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RV5A040APTCR1
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 4 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1616-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	62mohm a 4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-8V, 0V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2000 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN1616-8S
Contenitore/involucro	6-PowerWFDFN
Codice componente base	RV5A040

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Nastrato in bobina (TR)