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Canale P 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WEMT
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Canale P 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WEMT
WEMT6 Series

RW1E025RPT2CR

Codice DigiKey
RW1E025RPT2CRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RW1E025RPT2CR
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 6-WEMT
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
RW1E025RPT2CR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
75mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
480 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-WEMT
Contenitore/involucro
6-SMD, conduttori piatti
Codice componente base
RW1E025
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Obsoleto
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