Name: RZF013P01TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RZF013P01TLTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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RZF013P01TL
Codice DigiKey	RZF013P01TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RZF013P01TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RZF013P01TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RZF013P01TL
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 1,3 A (Ta) 800mW (Ta) A montaggio superficiale TUMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RZF013P01TL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	260mohm a 1,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	290 pF @ 6 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TUMT3
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	RZF013

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Nastrato in bobina (TR)