Name: RZM002P02T2L
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RZM002P02T2LTR-ND
Price: 0.27025 CHF
Availability: InStock

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RZM002P02T2L
Codice DigiKey	RZM002P02T2LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RZM002P02T2LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RZM002P02T2LDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RZM002P02T2L
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale VMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RZM002P02T2L Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	115 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	VMT3
Contenitore/involucro	SOT-723
Codice componente base	RZM002

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Nastrato in bobina (TR)