Canale P 12 V 2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
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RZR020P01TL

Codice DigiKey
RZR020P01TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RZR020P01TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RZR020P01TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RZR020P01TL
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 12 V 2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Modelli EDA/CAD
RZR020P01TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
105mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
770 pF @ 6 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TSMT3
Contenitore/involucro
SC-96
Codice componente base
RZR020
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