RZR025P01TL Rohm Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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RZR025P01TL
Codice DigiKey	RZR025P01TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RZR025P01TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RZR025P01TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RZR025P01TL
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 2,5 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RZR025P01TL Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±10V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 6 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore TSMT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SC-96
RDSon (max) a Id, Vgs 61mohm a 2,5A, 4,5V	Codice componente base RZR025

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RQ5A025ZPTL	Rohm Semiconductor	2’610	RQ5A025ZPTLCT-ND	Fr. 0.76000	Simile
DMP1045U-7	Diodes Incorporated	26’223	DMP1045U-7DICT-ND	Fr. 0.37000	Simile
FDN306P	onsemi	46’430	FDN306PCT-ND	Fr. 0.58000	Simile
NTJS3151PT1G	onsemi	5’097	NTJS3151PT1GOSCT-ND	Fr. 0.49000	Simile
SI2333CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	46’215	SI2333CDS-T1-E3CT-ND	Fr. 0.94000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.72000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.77832

RZR025P01TL