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Diodi 650 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB
4th Gen SiC MOSFETs

SCS208AJTLL

Codice DigiKey
SCS208AJTLLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SCS208AJTLL
Descrizione
DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCS208AJTLL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.55 V @ 8 A
Velocità
Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
160 µA @ 600 V
Capacità a Vr, F
291pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
TO-263AB
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C (max)
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.68000Fr. 1’680.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.81608