Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220ACFP
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Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220ACFP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS212AGC17

Codice DigiKey
846-SCS212AGC17-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
SCS212AGC17
Descrizione
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220ACFP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.55 V @ 12 A
Velocità
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
240 µA @ 600 V
Capacità a Vr, F
438pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220ACFP
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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50Fr. 2.80760Fr. 140.38
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500Fr. 2.47034Fr. 1’235.17
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 5.26000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.68606