Diodi 650 V 2,15A Foro passante TO-220ACP
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Diodi 650 V 2,15A Foro passante TO-220ACP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS302AHGC9

Codice DigiKey
SCS302AHGC9-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
SCS302AHGC9
Descrizione
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 2,15A Foro passante TO-220ACP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
2,15A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.5 V @ 2 A
Velocità
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10.8 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
110pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220ACP
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C (max)
Codice componente base
SCS302
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