SCS308APC9 Rohm Semiconductor | Prodotti a semiconduttore discreti

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SCS308APC9
Codice DigiKey	SCS308APC9-ND
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCS308APC9
Descrizione	DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 8A Foro passante
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.5 V @ 8 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	40 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	400pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	175°C (max)
Codice componente base	SCS308

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Quantità

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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50	Fr. 2.40360	Fr. 120.18
100	Fr. 2.19440	Fr. 219.44

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