Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 5.02665 CHF
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
Codice DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT2H12NWBTL1
Descrizione	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1700 V 3,9 A (Tc) 39W (Tc) A montaggio superficiale TO-263CA-7LSHYAD
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 410µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -6V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 197 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1700 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263CA-7LSHYAD
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5ohm a 1,1A, 18V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.02665

SCT2H12NWBTL1