Canale N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Foro passante TO-3PFM
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Canale N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Foro passante TO-3PFM
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NZGC11

Codice DigiKey
SCT2H12NZGC11-ND
Produttore
Codice produttore
SCT2H12NZGC11
Descrizione
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Foro passante TO-3PFM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 900µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+22V, -6V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
184 pF @ 800 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
1700 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-3PFM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5ohm a 1,1A, 18V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 7.14000Fr. 7.14
30Fr. 4.16700Fr. 125.01
120Fr. 3.51467Fr. 421.76
510Fr. 3.03696Fr. 1’548.85
1’020Fr. 2.92125Fr. 2’979.68
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 7.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 7.71834