Canale N 650 V 38 A (Tc) 159W A montaggio superficiale TO-263-7
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Canale N 650 V 38 A (Tc) 159W A montaggio superficiale TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3060AW7TL

Codice DigiKey
846-SCT3060AW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-SCT3060AW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-SCT3060AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT3060AW7TL
Descrizione
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 38 A (Tc) 159W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
58 nC @ 18 V
Produttore
Vgs (max)
+22V, -4V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
852 pF @ 500 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
159W
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
78mohm a 13A, 18V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
5,6V a 6,67mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 1’153
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 16.04000Fr. 16.04
10Fr. 11.45800Fr. 114.58
100Fr. 8.87870Fr. 887.87
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 10.31948Fr. 10’319.48
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 16.04000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 17.33924