Name: SCT3080AW7TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT3080AW7TLTR-ND
Price: 14.07462 CHF
Availability: InStock

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SCT3080AW7TL
Codice DigiKey	846-SCT3080AW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SCT3080AW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SCT3080AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT3080AW7TL
Descrizione	SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 29 A (Tc) 125W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 18 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +22V, -4V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 571 pF @ 500 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 125W
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 104mohm a 10A, 18V	Codice componente base SCT3080
Vgs(th) max a Id 5,6V a 5mA

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 7.33037	Fr. 7’330.37

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 13.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 14.07462

SCT3080AW7TL