Name: SCT3120AW7TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT3120AW7TLTR-ND
Price: 11.39374 CHF
Availability: InStock

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SCT3120AW7TL
Codice DigiKey	846-SCT3120AW7TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SCT3120AW7TLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SCT3120AW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT3120AW7TL
Descrizione	SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 21 A (Tc) 100W A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 18 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +22V, -4V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 460 pF @ 500 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 100W
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 156mohm a 6.7A, 18V	Codice componente base SCT3120
Vgs(th) max a Id 5,6V a 3,33mA

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 5.56983	Fr. 5’569.83

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 10.54000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 11.39374

SCT3120AW7TL