Name: SH8J31GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J31GZETBTR-ND
Price: 2.23767 CHF
Availability: InStock

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SH8J31GZETB
Codice DigiKey	SH8J31GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SH8J31GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SH8J31GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SH8J31GZETB
Descrizione	MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 4,5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SH8J31GZETB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40nC a 10V
Produttore Rohm Semiconductor	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2500pF a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A	Contenitore del fornitore 8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base SH8J31
Vgs(th) max a Id 3V a 1mA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.07000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.23767

SH8J31GZETB