Name: SH8JB5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SH8JB5TB1TR-ND
Price: 2.76736 CHF
Availability: InStock

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SH8JB5TB1
Codice DigiKey	846-SH8JB5TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SH8JB5TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SH8JB5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SH8JB5TB1
Descrizione	MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 8,5 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SH8JB5TB1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 51nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2870pF a 20V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs 15,3mohm a 8,5A, 10V	Codice componente base SH8JB5

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.56000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.76736

SH8JB5TB1