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8-SOIC
8-TSOP

SH8K12TB1

Codice DigiKey
SH8K12TB1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SH8K12TB1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5A
RDSon (max) a Id, Vgs
42mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
250pF a 10V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOP
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.32621Fr. 815.52
5’000Fr. 0.29621Fr. 1’481.05
7’500Fr. 0.29051Fr. 2’178.82
12’500Fr. 0.28600Fr. 3’575.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.32621
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.35263