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MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
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MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
8-TSOP

SH8K12TB1

Codice DigiKey
SH8K12TB1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SH8K12TB1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Produttore
Rohm Semiconductor
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
250pF a 10V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
2W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore del fornitore
8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
42mohm a 5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (3)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AO4862Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AO4862-NDFr. 0.12292Simile
SI4936BDY-T1-GE3Vishay Siliconix0SI4936BDY-T1-GE3CT-NDFr. 1.45000Simile
TSM4936DCS RLGTaiwan Semiconductor Corporation24’937TSM4936DCSRLGCT-NDFr. 1.05000Simile
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.34310Fr. 857.75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.34310
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.37089