MOSFET - Array 100V 3 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
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SH8K52GZETB

Codice DigiKey
SH8K52GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SH8K52GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SH8K52GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SH8K52GZETB
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 3 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Produttore
Rohm Semiconductor
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8,5nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
610pF a 25V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Potenza - Max
1,4W (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3 A (Ta)
Contenitore del fornitore
8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs
170mohm a 3A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SP8K52HZGTBRohm Semiconductor1’641846-SP8K52HZGTBCT-NDFr. 2.30000Equivalente parametrico
In magazzino: 9’822
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.40000Fr. 1.40
10Fr. 0.89300Fr. 8.93
100Fr. 0.59980Fr. 59.98
500Fr. 0.47408Fr. 237.04
1’000Fr. 0.43668Fr. 436.68
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.38992Fr. 974.80
5’000Fr. 0.36289Fr. 1’814.45
7’500Fr. 0.35445Fr. 2’658.38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.40000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.51340