
SH8K52GZETB | |
|---|---|
Codice DigiKey | SH8K52GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SH8K52GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SH8K52GZETBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SH8K52GZETB |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 3 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,5nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 610pF a 25V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Potenza - Max 1,4W (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta) | Contenitore del fornitore 8-SOP |
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 3A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SP8K52HZGTB | Rohm Semiconductor | 1’641 | 846-SP8K52HZGTBCT-ND | Fr. 2.11000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.40000 | Fr. 1.40 |
| 10 | Fr. 0.89300 | Fr. 8.93 |
| 100 | Fr. 0.59980 | Fr. 59.98 |
| 500 | Fr. 0.47408 | Fr. 237.04 |
| 1’000 | Fr. 0.43668 | Fr. 436.68 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.38992 | Fr. 974.80 |
| 5’000 | Fr. 0.36289 | Fr. 1’814.45 |
| 7’500 | Fr. 0.35445 | Fr. 2’658.38 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.51340 |

