Name: SH8KA1GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8KA1GZETBTR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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SH8KA1GZETB
Codice DigiKey	SH8KA1GZETBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SH8KA1GZETBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SH8KA1GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SH8KA1GZETB
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4,5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	80mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	125pF a 15V
Potenza - Max	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOP
Codice componente base	SH8KA1

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)