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SH8M2TB1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-SH8M2TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SH8M2TB1 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 3,5A 2W A montaggio superficiale 8-SOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SH8M2TB1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,5nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 140pF a 10V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Potenza - Max 2W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5A | Contenitore del fornitore 8-SOP |
RDSon (max) a Id, Vgs 83mohm a 3,5A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8MA2GZETB | Rohm Semiconductor | 2’991 | SH8MA2GZETBCT-ND | Fr. 0.93000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.30351 | Fr. 758.77 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.30351 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.32809 |
