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SH8M5TB1 | |
|---|---|
Codice DigiKey   | SH8M5TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)  | 
Produttore   | |
Codice produttore   | SH8M5TB1  | 
Descrizione  | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP  | 
Riferimento cliente   | |
Descrizione dettagliata  | MOSFET - Array 30V 6A, 7A 2W A montaggio superficiale 8-SOP  | 
Scheda tecnica  | Scheda tecnica | 
Modelli EDA/CAD  | SH8M5TB1 Modelli | 
Tipo   | Descrizione  | Seleziona tutto  | 
|---|---|---|
Categoria  | ||
Produttore   | Rohm Semiconductor  | |
Serie  | -  | |
Confezionamento  | Nastrato in bobina (TR)  | |
Stato componente  | Non per nuovi progetti  | |
Tecnologia  | MOSFET (ossido di metallo)  | |
Configurazione  | Canale N e P  | |
Funzione FET  | Porta a livello logico  | |
Tensione drain/source (Vdss)  | 30V  | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C  | 6A, 7A  | |
RDSon (max) a Id, Vgs  | 30mohm a 6A, 10V  | |
Vgs(th) max a Id  | 2,5V a 1mA  | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs  | 7,2nC a 5V  | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds  | 520pF a 10V  | |
Potenza - Max  | 2W  | |
Temperatura di funzionamento  | 150°C (TJ)  | |
Tipo di montaggio  | A montaggio superficiale  | |
Contenitore/involucro  | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)  | |
Contenitore del fornitore  | 8-SOP  | |
Codice componente base  | 
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot | 
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.57302 | Fr. 1’432.55 | 
| 5’000 | Fr. 0.55240 | Fr. 2’762.00 | 
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.57302 | 
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.61943 | 




