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8-SOIC
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8-SOIC
8-TSOP

SH8M5TB1

Codice DigiKey
SH8M5TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SH8M5TB1
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 6A, 7A 2W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SH8M5TB1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6A, 7A
RDSon (max) a Id, Vgs
30mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7,2nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
520pF a 10V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOP
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.57302Fr. 1’432.55
5’000Fr. 0.55240Fr. 2’762.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.57302
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.61943