Name: SP8K3FRATB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SP8K3FRATBTR-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: InStock

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SP8K3FRATB
Codice DigiKey	846-SP8K3FRATBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SP8K3FRATBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SP8K3FRATBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SP8K3FRATB
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 7 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,8nC a 5V
Produttore Rohm Semiconductor	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600pF a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 1,4W (Ta)
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7A, 10V	Contenitore del fornitore 8-SOP
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA	Codice componente base SP8K3

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.60343	Fr. 1’508.58

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.92418

SP8K3FRATB