Name: SP8M21HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SP8M21HZGTBTR-ND
Price: 3.19976 CHF
Availability: InStock

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SP8M21HZGTB
Codice DigiKey	846-SP8M21HZGTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-SP8M21HZGTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-SP8M21HZGTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SP8M21HZGTB
Descrizione	MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 45V 6 A (Ta), 4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21.6nC a 5V, 28nC a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400pF a 10V, 2400pF a10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 45V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta), 4 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 6A, 10V, 46mohm a 4A, 10V	Codice componente base SP8M21

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 1.10609	Fr. 2’765.22

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.96000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.19976

SP8M21HZGTB