TT8U2TCR
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TT8J21TR

Codice DigiKey
TT8J21TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
TT8J21CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
TT8J21TR
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 2,5A 650mW A montaggio superficiale 8-TSST
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TT8J21TR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
68mohm a 2,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1270pF a 10V
Potenza - Max
650mW
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
8-TSST
Codice componente base
TT8J21
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Nastro pre-tagliato (CT)
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100Fr. 0.45030Fr. 45.03
500Fr. 0.35154Fr. 175.77
1’000Fr. 0.31971Fr. 319.71
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.16748