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Rohm Semiconductor
In magazzino: 4’192
Prezzo unitario : Fr. 1.05000
Scheda tecnica
TT8U2TCR
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TT8K2TR

Codice DigiKey
TT8K2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
TT8K2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
TT8K2TR
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 8TSST
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 2,5A 1,25W A montaggio superficiale 8-TSST
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TT8K2TR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
90mohm a 2,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3,2nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
180pF a 10V
Potenza - Max
1,25W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
8-TSST
Codice componente base
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